Силовые модули SiC MOSFET, на основе карбида кремния, обеспечивают минимальные потери на переключение, сверхнизкое сопротивление открытого канала RDS(on) и высокую скорость работы, легко заменяя традиционные кремниевые IGBT модули. Являются идеальным выбором для повышения энергоэффективности и снижения габаритов инверторов электромобилей, систем фотовольтаики, систем хранения энергии и зарядных станций, а также преобразователей собственных нужд.
-
- CRRCРаздел в работеSiC MOSFET модули
- Microchip TechnologyРаздел в работеSiC MOSFET модули
Контакты
Для связи с нами используйте указанные контактные данные. Мы ответим вам в ближайшее время.
+7 (812) 980-72-15
sales@smartmikro.ru
sales@smartmikro.ru
197342, г. Санкт-Петербург, Набережная Черной речки, д.41, литер В, пом.49-Н ч.13