Производитель;Модель;R(DS(on)) при 25℃, мОм;I(D), А;U(GS), В;Корпус;Data Sheet
AST Semiconductor;ASC30N2000MT4PB;88; 30;15;TO247-4;ASC30N2000MT4PB link=https://922544b6-5a3c-4a1e-97ea-e540c4f50afd.selstorage.ru/AST%20Semiconductor/Discrets%202000V/ASTSiC-ASC30N2000MT4PB-DataSheet-A0.pdf