Диаметр (мм);Метод выращивания;Тип проводимости / легирующая примесь;Удельное сопротивление (Ω.см);Толщина (мкм);Отклонение толщины (мкм);TTV (мкм);Bow (мкм)
50.8;MCZ / GDFZ / NTD;N: As / Sb / P и P: B;MCZ: 1 × 103 ~ 100/GDFZ: 1 × 103 ~ 20,000/NTD: 30-600;381;Типичное ± 25;≤ 10;≤ 30
76.2;MCZ / GDFZ / NTD;N: As / Sb / P и P: B;MCZ: 1 × 103 ~ 100/GDFZ: 1 × 103 ~ 20,000/NTD: 30-600;381;Типичное ± 25;≤ 10;≤ 30
100;MCZ / GDFZ / NTD;N: As / Sb / P и P: B;MCZ: 1 × 103 ~ 100/GDFZ: 1 × 103 ~ 20,000/NTD: 30-600;525;Типичное ± 25;≤ 10;≤ 40
125;MCZ / GDFZ / NTD;N: As / Sb / P и P: B; MCZ: 1 × 103 ~ 100/GDFZ: 1 × 103 ~ 20,000/NTD: 30-600;525;Типичное ± 25;≤ 10;≤ 40
150;MCZ / GDFZ / NTD;N: As / Sb / P и P: B;MCZ: 1 × 103 ~ 100/GDFZ: 1 × 103 ~ 20,000/NTD: 30-600;675;Типичное ± 25;≤ 10;≤ 40
200;MCZ / GDFZ / NTD;N: As / Sb / P и P: B;MCZ: 1 × 103 ~ 100/GDFZ: 1 × 103 ~ 20,000/NTD: 30-600;725;Типичное ± 25;≤ 10;≤ 60;