GaAs подложки

Подложки из арсенида галлия. Также доступны слитки и эпитаксиальные структуры на основе GaAs
* подложки GaAs с другими параметрами также доступны по запросу
SiC подложки
Подложки из карбида кремния
* доступны эпитаксиальные структуры на основе SiC
Si подложки
Кремниевые подложки
* Подложки Si с другими параметрами также доступны по запросу. Доступны слитки и эпитаксиальные структуры на основе Si
InP подложки
Подложки из фосфида индия
* Подложки InP с другими параметрами также доступны по запросу. Также доступны эпитаксиальные структуры на основе подложек InP и других полупроводников
группы A3B5.
InAS подложки
Подложки из арсенида индия
* Подложки InAs с другими параметрами также доступны по запросу группы A3B5.
Доступны InAs подложки производства: Азия.
Также доступны эпитаксиальные структуры на основе подложек InAs и других полупроводников группы A3B5
GaSb подложки
Подложки из антимонида галлия
* Подложки GaSb с другими параметрами также доступны по запросу. Доступны GaSb подложки производства: Азия.
Также доступны эпитаксиальные структуры на основе подложек GaSb и других полупроводников
группы A3B5
Сапфировые подложки
Подложки из сапфира (Al2O3)
* Cапфировые подложки с другими параметрами также доступны по запросу.
Доступны сапфировые подложки производства: Азия.
Также доступны слитки, эпитаксиальные структуры и паттернированные подложки сапфира A3B5
LiNbO3 и LiTaO3 подложки
Подложки из ниобата и танталата лития
* LN и LT подложки с другими параметрами также доступны по запросу.
Доступны LN и LT подложки производства: Китай, Япония.
Также доступны слитки LT и LN
Керамические подложки Al2O3 и AlN
Свойства материала керамических подложек Al2O3

Параметры подложек Al2O3

Свойства материала керамических подложек AlN

Параметры подложек AlN

* Al2O3 и AlN подложки с другими параметрами также доступны по запросу.
Доступны Al2O3 и AlN подложки производства: Азия.
Задать вопрос